Купити ON Semiconductor BVSS123LT1G MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

BVSS123LT1G

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3

Номер деталі

BVSS123LT1G

Виробник/бренд

ON Semiconductor

Серія

Статус частини

Active

Упаковка

Tape & Reel (TR)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Пакет пристроїв постачальника

SOT-23-3

Розсіювана потужність (макс.)

225mW (Ta)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

100V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

170mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6 Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.8V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

20pF @ 25V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 32747 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

BVSS123LT1G

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3