Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
BVSS123LT1G

BVSS123LT1G

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3
Номер деталі
BVSS123LT1G
Виробник/бренд
Серія
-
Статус частини
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет пристроїв постачальника
SOT-23-3
Розсіювана потужність (макс.)
225mW (Ta)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
100V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
-
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
20pF @ 25V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (макс.)
±20V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 32747 PCS
Контактна інформація
Ключові слова BVSS123LT1G
BVSS123LT1G Електронні компоненти
BVSS123LT1G Продажі
BVSS123LT1G Постачальник
BVSS123LT1G Дистриб'ютор
BVSS123LT1G Таблиця даних
BVSS123LT1G Фотографії
BVSS123LT1G Ціна
BVSS123LT1G Пропозиція
BVSS123LT1G Найнижча ціна
BVSS123LT1G Пошук
BVSS123LT1G Закупівля
BVSS123LT1G Чіп