Купити ON Semiconductor FDB0165N807L MOSFET N-CH 80V 310A TO263

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

FDB0165N807L

MOSFET N-CH 80V 310A TO263

Номер деталі

FDB0165N807L

Виробник/бренд

ON Semiconductor

Серія

PowerTrench®

Статус частини

Active

Упаковка

Digi-Reel®

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Пакет пристроїв постачальника

D²PAK (TO-263)

Розсіювана потужність (макс.)

3.8W (Ta), 300W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

80V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

310A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6 mOhm @ 36A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

304nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

23660pF @ 40V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 35898 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

FDB0105N407L

MOSFET N-CH 40V 460A