FDR842P
MOSFET P-CH 12V 11A SSOT-8
Номер деталі
FDR842P
Виробник/бренд
Серія
-
Статус частини
Obsolete
Упаковка
Cut Tape (CT)
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
8-SMD, Gull Wing
Пакет пристроїв постачальника
SuperSOT™-8
Розсіювана потужність (макс.)
1.8W (Ta)
Тип FET
P-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
12V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 11A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
80nC @ 4.5V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
5350pF @ 6V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (макс.)
±8V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 28971 PCS
Контактна інформація
Супутні товари
Ключові слова FDR842P
FDR842P Електронні компоненти
FDR842P Продажі
FDR842P Постачальник
FDR842P Дистриб'ютор
FDR842P Таблиця даних
FDR842P Фотографії
FDR842P Ціна
FDR842P Пропозиція
FDR842P Найнижча ціна
FDR842P Пошук
FDR842P Закупівля
FDR842P Чіп