Купити ON Semiconductor MVB50P03HDLT4G INTEGRATED CIRCUIT

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

MVB50P03HDLT4G

INTEGRATED CIRCUIT

Номер деталі

MVB50P03HDLT4G

Виробник/бренд

ON Semiconductor

Серія

Automotive, AEC-Q101

Статус частини

Last Time Buy

Упаковка

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Пакет пристроїв постачальника

D2PAK-3

Розсіювана потужність (макс.)

125W (Tc)

Тип FET

P-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

30V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

50A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25 mOhm @ 25A, 5V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

100nC @ 5V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

4.9nF @ 25V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

Vgs (макс.)

±15V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 9694 PCS

Контактна інформація