Купити Renesas Electronics America HAT2131R-EL-E MOSFET N-CH 8SO

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

HAT2131R-EL-E

MOSFET N-CH 8SO

Номер деталі

HAT2131R-EL-E

Виробник/бренд

Renesas Electronics America

Серія

Статус частини

Active

Упаковка

Tape & Reel (TR)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Пакет пристроїв постачальника

8-SOP

Розсіювана потужність (макс.)

2.5W (Ta)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

350V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

900mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3 Ohm @ 450mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

20nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

460pF @ 25V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 30186 PCS

Контактна інформація