Купити Renesas Electronics America NP83P06PDG-E1-AY MOSFET P-CH 60V 83A TO-263

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

NP83P06PDG-E1-AY

MOSFET P-CH 60V 83A TO-263

Номер деталі

NP83P06PDG-E1-AY

Виробник/бренд

Renesas Electronics America

Серія

Статус частини

Obsolete

Упаковка

Digi-Reel®

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

175°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Пакет пристроїв постачальника

TO-263

Розсіювана потужність (макс.)

1.8W (Ta), 150W (Tc)

Тип FET

P-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

60V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

83A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.8 mOhm @ 41.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

190nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

10100pF @ 10V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 6684 PCS

Контактна інформація