QS8J11TCR
MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSMT8
Номер деталі
QS8J11TCR
Виробник/бренд
Серія
-
Статус частини
Not For New Designs
Упаковка
Cut Tape (CT)
Робоча температура
150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
8-SMD, Flat Lead
Потужність - Макс
550mW
Пакет пристроїв постачальника
TSMT8
Тип FET
2 P-Channel (Dual)
Функція FET
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Напруга відведення до джерела (Vdss)
12V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
43 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
22nC @ 4.5V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
2600pF @ 6V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 34680 PCS
Контактна інформація
Супутні товари
Ключові слова QS8J11TCR
QS8J11TCR Електронні компоненти
QS8J11TCR Продажі
QS8J11TCR Постачальник
QS8J11TCR Дистриб'ютор
QS8J11TCR Таблиця даних
QS8J11TCR Фотографії
QS8J11TCR Ціна
QS8J11TCR Пропозиція
QS8J11TCR Найнижча ціна
QS8J11TCR Пошук
QS8J11TCR Закупівля
QS8J11TCR Чіп