Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
RQ7E110AJTCR

RQ7E110AJTCR

NCH 30V 11A MIDDLE POWER MOSFET
Номер деталі
RQ7E110AJTCR
Виробник/бренд
Серія
-
Статус частини
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
8-SMD, Flat Lead
Пакет пристроїв постачальника
TSMT8
Розсіювана потужність (макс.)
1.5W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
30V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 4.5A, 11V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 10mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
22nC @ 4.5V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
2410pF @ 15V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
4.5V
Vgs (макс.)
±12V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 6567 PCS
Контактна інформація
Ключові слова RQ7E110AJTCR
RQ7E110AJTCR Електронні компоненти
RQ7E110AJTCR Продажі
RQ7E110AJTCR Постачальник
RQ7E110AJTCR Дистриб'ютор
RQ7E110AJTCR Таблиця даних
RQ7E110AJTCR Фотографії
RQ7E110AJTCR Ціна
RQ7E110AJTCR Пропозиція
RQ7E110AJTCR Найнижча ціна
RQ7E110AJTCR Пошук
RQ7E110AJTCR Закупівля
RQ7E110AJTCR Чіп