Купити Rohm Semiconductor RUC002N05HZGT116 1.2V DRIVE NCH MOSFET

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

RUC002N05HZGT116

1.2V DRIVE NCH MOSFET

Номер деталі

RUC002N05HZGT116

Виробник/бренд

Rohm Semiconductor

Серія

Automotive, AEC-Q101

Статус частини

Active

Упаковка

Tape & Reel (TR)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Пакет пристроїв постачальника

SST3

Розсіювана потужність (макс.)

350mW (Ta)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

50V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

200mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

25pF @ 10V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Vgs (макс.)

±8V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 46546 PCS

Контактна інформація