Купити Toshiba Memory America, Inc. TC58BVG0S3HBAI6 IC EEPROM 1GBIT 25NS 67VFBGA

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

TC58BVG0S3HBAI6

IC EEPROM 1GBIT 25NS 67VFBGA

Номер деталі

TC58BVG0S3HBAI6

Виробник/бренд

Toshiba Memory America, Inc.

Серія

Benand™

Статус частини

Active

Упаковка

Tray

технології

FLASH - NAND (SLC)

Робоча температура

-40°C ~ 85°C (TA)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

67-VFBGA

Пакет пристроїв постачальника

67-VFBGA (6.5x8)

Напруга - живлення

2.7 V ~ 3.6 V

Тип пам'яті

Non-Volatile

Розмір пам'яті

1Gb (128M x 8)

Час доступу

25ns

Тактова частота

Формат пам'яті

Flash

Час циклу запису - слово, сторінка

25ns

Інтерфейс пам'яті

Parallel

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 50863 PCS

Контактна інформація