Купити Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2009TE85LF MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

2SK2009TE85LF

MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI

Номер деталі

2SK2009TE85LF

Виробник/бренд

Toshiba Semiconductor and Storage

Серія

Статус частини

Discontinued at Digi-Key

Упаковка

Cut Tape (CT)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Пакет пристроїв постачальника

SC-59-3

Розсіювана потужність (макс.)

200mW (Ta)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

30V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

200mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2 Ohm @ 50MA, 2.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 100µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

70pF @ 3V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

2.5V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 52023 PCS

Контактна інформація