Купити Toshiba Semiconductor and Storage TJ60S06M3L(T6L1,NQ MOSFET P-CH 60V 60A DPAK-3

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

TJ60S06M3L(T6L1,NQ

MOSFET P-CH 60V 60A DPAK-3

Номер деталі

TJ60S06M3L(T6L1,NQ

Виробник/бренд

Toshiba Semiconductor and Storage

Серія

U-MOSVI

Статус частини

Active

Упаковка

Tape & Reel (TR)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

175°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Пакет пристроїв постачальника

DPAK+

Розсіювана потужність (макс.)

100W (Tc)

Тип FET

P-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

60V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

60A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.2 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

156nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

7760pF @ 10V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Vgs (макс.)

+10V, -20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 30651 PCS

Контактна інформація