Купити Toshiba Semiconductor and Storage TK30E06N1,S1X MOSFET N-CH 60V 43A TO-220

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

TK30E06N1,S1X

MOSFET N-CH 60V 43A TO-220

Номер деталі

TK30E06N1,S1X

Виробник/бренд

Toshiba Semiconductor and Storage

Серія

U-MOSVIII-H

Статус частини

Active

Упаковка

Tube

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

150°C (TJ)

Тип монтажу

Through Hole

Пакет / футляр

TO-220-3

Пакет пристроїв постачальника

TO-220

Розсіювана потужність (макс.)

53W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

60V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

43A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 200µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

16nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

1050pF @ 30V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 46523 PCS

Контактна інформація