Купити Toshiba Semiconductor and Storage TK35N65W,S1F MOSFET N-CH 650V 35A TO-247

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

TK35N65W,S1F

MOSFET N-CH 650V 35A TO-247

Номер деталі

TK35N65W,S1F

Виробник/бренд

Toshiba Semiconductor and Storage

Серія

DTMOSIV

Статус частини

Active

Упаковка

Tube

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

150°C (TJ)

Тип монтажу

Through Hole

Пакет / футляр

TO-247-3

Пакет пристроїв постачальника

TO-247

Розсіювана потужність (макс.)

270W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

650V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

35A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80 mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 2.1mA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

100nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

4100pF @ 300V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (макс.)

±30V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 5064 PCS

Контактна інформація