Купити Toshiba Semiconductor and Storage TK60P03M1,RQ(S MOSFET N-CH 30V 60A DPAK-3

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

TK60P03M1,RQ(S

MOSFET N-CH 30V 60A DPAK-3

Номер деталі

TK60P03M1,RQ(S

Виробник/бренд

Toshiba Semiconductor and Storage

Серія

U-MOSVI-H

Статус частини

Active

Упаковка

Tape & Reel (TR)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Пакет пристроїв постачальника

DPAK

Розсіювана потужність (макс.)

63W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

30V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

60A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.4 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.3V @ 500µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

40nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

2700pF @ 10V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 9249 PCS

Контактна інформація