Купити Toshiba Semiconductor and Storage TK6P65W,RQ MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

TK6P65W,RQ

MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK

Номер деталі

TK6P65W,RQ

Виробник/бренд

Toshiba Semiconductor and Storage

Серія

DTMOSIV

Статус частини

Active

Упаковка

Digi-Reel®

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Пакет пристроїв постачальника

DPAK

Розсіювана потужність (макс.)

60W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

650V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

5.8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.05 Ohm @ 2.9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 180µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

11nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

390pF @ 300V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (макс.)

±30V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 27153 PCS

Контактна інформація