Купити Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R306NH,L1Q MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

TPH2R306NH,L1Q

MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV

Номер деталі

TPH2R306NH,L1Q

Виробник/бренд

Toshiba Semiconductor and Storage

Серія

U-MOSVIII-H

Статус частини

Active

Упаковка

Cut Tape (CT)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

8-PowerVDFN

Пакет пристроїв постачальника

8-SOP Advance (5x5)

Розсіювана потужність (макс.)

1.6W (Ta), 78W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

60V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.3 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

72nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

6100pF @ 30V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

6.5V, 10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 35088 PCS

Контактна інформація