Купити Toshiba Semiconductor and Storage TPN11006NL,LQ MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

TPN11006NL,LQ

MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON

Номер деталі

TPN11006NL,LQ

Виробник/бренд

Toshiba Semiconductor and Storage

Серія

U-MOSVIII-H

Статус частини

Active

Упаковка

Digi-Reel®

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

8-PowerVDFN

Пакет пристроїв постачальника

8-TSON Advance (3.3x3.3)

Розсіювана потужність (макс.)

700mW (Ta), 30W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

60V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

17A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.4 mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 200µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

23nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

2000pF @ 30V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 20461 PCS

Контактна інформація