Купити Toshiba Semiconductor and Storage TPN2010FNH,L1Q MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

TPN2010FNH,L1Q

MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON

Номер деталі

TPN2010FNH,L1Q

Виробник/бренд

Toshiba Semiconductor and Storage

Серія

U-MOSVIII-H

Статус частини

Active

Упаковка

Tape & Reel (TR)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

8-PowerVDFN

Пакет пристроїв постачальника

8-TSON Advance (3.3x3.3)

Розсіювана потужність (макс.)

700mW (Ta), 39W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

250V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

5.6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

198 mOhm @ 2.8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 200µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

7nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

600pF @ 100V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 42553 PCS

Контактна інформація