Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
TPN2R805PL,L1Q

TPN2R805PL,L1Q

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Номер деталі
TPN2R805PL,L1Q
Виробник/бренд
Серія
U-MOSIX-H
Статус частини
Active
Упаковка
-
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
175°C
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
8-PowerVDFN
Пакет пристроїв постачальника
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Розсіювана потужність (макс.)
2.67W (Ta), 104W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
45V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
139A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.8 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 300µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
39nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
3.2nF @ 22.5V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (макс.)
±20V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 51771 PCS
Контактна інформація
Ключові слова TPN2R805PL,L1Q
TPN2R805PL,L1Q Електронні компоненти
TPN2R805PL,L1Q Продажі
TPN2R805PL,L1Q Постачальник
TPN2R805PL,L1Q Дистриб'ютор
TPN2R805PL,L1Q Таблиця даних
TPN2R805PL,L1Q Фотографії
TPN2R805PL,L1Q Ціна
TPN2R805PL,L1Q Пропозиція
TPN2R805PL,L1Q Найнижча ціна
TPN2R805PL,L1Q Пошук
TPN2R805PL,L1Q Закупівля
TPN2R805PL,L1Q Чіп