Купити Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R805PL,L1Q X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

TPN2R805PL,L1Q

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Номер деталі

TPN2R805PL,L1Q

Виробник/бренд

Toshiba Semiconductor and Storage

Серія

U-MOSIX-H

Статус частини

Active

Упаковка

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

175°C

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

8-PowerVDFN

Пакет пристроїв постачальника

8-TSON Advance (3.3x3.3)

Розсіювана потужність (макс.)

2.67W (Ta), 104W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

45V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

139A (Ta), 80A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.8 mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 300µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

39nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

3.2nF @ 22.5V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 51771 PCS

Контактна інформація