Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
SI1002R-T1-GE3

SI1002R-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 610MA SC75A
Номер деталі
SI1002R-T1-GE3
Виробник/бренд
Серія
-
Статус частини
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
SC-75A
Пакет пристроїв постачальника
SC-75A
Розсіювана потужність (макс.)
220mW (Ta)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
30V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
610mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
560 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
2nC @ 8V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
36pF @ 15V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Vgs (макс.)
±8V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 53265 PCS
Контактна інформація
Ключові слова SI1002R-T1-GE3
SI1002R-T1-GE3 Електронні компоненти
SI1002R-T1-GE3 Продажі
SI1002R-T1-GE3 Постачальник
SI1002R-T1-GE3 Дистриб'ютор
SI1002R-T1-GE3 Таблиця даних
SI1002R-T1-GE3 Фотографії
SI1002R-T1-GE3 Ціна
SI1002R-T1-GE3 Пропозиція
SI1002R-T1-GE3 Найнижча ціна
SI1002R-T1-GE3 Пошук
SI1002R-T1-GE3 Закупівля
SI1002R-T1-GE3 Чіп