Купити Vishay Siliconix SI1012CR-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-75A

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

SI1012CR-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-75A

Номер деталі

SI1012CR-T1-GE3

Виробник/бренд

Vishay Siliconix

Серія

TrenchFET®

Статус частини

Active

Упаковка

Digi-Reel®

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

SC-75, SOT-416

Пакет пристроїв постачальника

SC-75A

Розсіювана потужність (макс.)

240mW (Ta)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

20V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

396 mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

2nC @ 8V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

43pF @ 10V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Vgs (макс.)

±8V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 8911 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

SI1000-C-GM

IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN