Купити Vishay Siliconix SI3127DV-T1-GE3 MOSFET P-CHAN 60V TSOP6S

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

SI3127DV-T1-GE3

MOSFET P-CHAN 60V TSOP6S

Номер деталі

SI3127DV-T1-GE3

Виробник/бренд

Vishay Siliconix

Серія

TrenchFET®

Статус частини

Active

Упаковка

Tape & Reel (TR)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Пакет пристроїв постачальника

6-TSOP

Розсіювана потужність (макс.)

2W (Ta), 4.2W (Tc)

Тип FET

P-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

60V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

3.5A (Ta), 13A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

89 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

30nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

833pF @ 20V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 37213 PCS

Контактна інформація