Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
SI5902DC-T1-E3

SI5902DC-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8
Номер деталі
SI5902DC-T1-E3
Виробник/бренд
Серія
TrenchFET®
Статус частини
Obsolete
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
8-SMD, Flat Lead
Потужність - Макс
1.1W
Пакет пристроїв постачальника
1206-8 ChipFET™
Тип FET
2 N-Channel (Dual)
Функція FET
Logic Level Gate
Напруга відведення до джерела (Vdss)
30V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
2.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
85 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA (Min)
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
7.5nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
-
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 16946 PCS
Контактна інформація
Ключові слова SI5902DC-T1-E3
SI5902DC-T1-E3 Електронні компоненти
SI5902DC-T1-E3 Продажі
SI5902DC-T1-E3 Постачальник
SI5902DC-T1-E3 Дистриб'ютор
SI5902DC-T1-E3 Таблиця даних
SI5902DC-T1-E3 Фотографії
SI5902DC-T1-E3 Ціна
SI5902DC-T1-E3 Пропозиція
SI5902DC-T1-E3 Найнижча ціна
SI5902DC-T1-E3 Пошук
SI5902DC-T1-E3 Закупівля
SI5902DC-T1-E3 Чіп