Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
SI7308DN-T1-GE3

SI7308DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
Номер деталі
SI7308DN-T1-GE3
Виробник/бренд
Серія
TrenchFET®
Статус частини
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
PowerPAK® 1212-8
Пакет пристроїв постачальника
PowerPAK® 1212-8
Розсіювана потужність (макс.)
3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
60V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
58 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
20nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
665pF @ 15V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (макс.)
±20V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 44606 PCS
Контактна інформація
Ключові слова SI7308DN-T1-GE3
SI7308DN-T1-GE3 Електронні компоненти
SI7308DN-T1-GE3 Продажі
SI7308DN-T1-GE3 Постачальник
SI7308DN-T1-GE3 Дистриб'ютор
SI7308DN-T1-GE3 Таблиця даних
SI7308DN-T1-GE3 Фотографії
SI7308DN-T1-GE3 Ціна
SI7308DN-T1-GE3 Пропозиція
SI7308DN-T1-GE3 Найнижча ціна
SI7308DN-T1-GE3 Пошук
SI7308DN-T1-GE3 Закупівля
SI7308DN-T1-GE3 Чіп