Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
SI7403BDN-T1-E3

SI7403BDN-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 8A 1212-8
Номер деталі
SI7403BDN-T1-E3
Виробник/бренд
Серія
TrenchFET®
Статус частини
Obsolete
Упаковка
Tape & Reel (TR)
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
PowerPAK® 1212-8
Пакет пристроїв постачальника
PowerPAK® 1212-8
Розсіювана потужність (макс.)
3.1W (Ta), 9.6W (Tc)
Тип FET
P-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
20V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
74 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
15nC @ 8V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
430pF @ 10V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Vgs (макс.)
±8V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 25130 PCS
Контактна інформація
Ключові слова SI7403BDN-T1-E3
SI7403BDN-T1-E3 Електронні компоненти
SI7403BDN-T1-E3 Продажі
SI7403BDN-T1-E3 Постачальник
SI7403BDN-T1-E3 Дистриб'ютор
SI7403BDN-T1-E3 Таблиця даних
SI7403BDN-T1-E3 Фотографії
SI7403BDN-T1-E3 Ціна
SI7403BDN-T1-E3 Пропозиція
SI7403BDN-T1-E3 Найнижча ціна
SI7403BDN-T1-E3 Пошук
SI7403BDN-T1-E3 Закупівля
SI7403BDN-T1-E3 Чіп