Купити Vishay Siliconix SI7900AEDN-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

SI7900AEDN-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

Номер деталі

SI7900AEDN-T1-GE3

Виробник/бренд

Vishay Siliconix

Серія

TrenchFET®

Статус частини

Active

Упаковка

Tape & Reel (TR)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

PowerPAK® 1212-8 Dual

Потужність - Макс

1.5W

Пакет пристроїв постачальника

PowerPAK® 1212-8 Dual

Тип FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Функція FET

Logic Level Gate

Напруга відведення до джерела (Vdss)

20V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26 mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

16nC @ 4.5V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 33296 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

SI7900AEDN-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8