Купити Vishay Siliconix SI8800EDB-T2-E1 MOSFET N-CH 20V MICROFOOT

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

SI8800EDB-T2-E1

MOSFET N-CH 20V MICROFOOT

Номер деталі

SI8800EDB-T2-E1

Виробник/бренд

Vishay Siliconix

Серія

TrenchFET®

Статус частини

Active

Упаковка

Cut Tape (CT)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

4-XFBGA, CSPBGA

Пакет пристроїв постачальника

4-Microfoot

Розсіювана потужність (макс.)

500mW (Ta)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

20V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

8.3nC @ 8V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Vgs (макс.)

±8V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 36183 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

SI8800EDB-T2-E1

MOSFET N-CH 20V MICROFOOT