Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
SIA811ADJ-T1-GE3

SIA811ADJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Номер деталі
SIA811ADJ-T1-GE3
Виробник/бренд
Серія
LITTLE FOOT®
Статус частини
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Пакет пристроїв постачальника
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Розсіювана потужність (макс.)
1.8W (Ta), 6.5W (Tc)
Тип FET
P-Channel
Функція FET
Schottky Diode (Isolated)
Напруга відведення до джерела (Vdss)
20V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
116 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
13nC @ 8V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
345pF @ 10V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (макс.)
±8V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 42863 PCS
Контактна інформація
Ключові слова SIA811ADJ-T1-GE3
SIA811ADJ-T1-GE3 Електронні компоненти
SIA811ADJ-T1-GE3 Продажі
SIA811ADJ-T1-GE3 Постачальник
SIA811ADJ-T1-GE3 Дистриб'ютор
SIA811ADJ-T1-GE3 Таблиця даних
SIA811ADJ-T1-GE3 Фотографії
SIA811ADJ-T1-GE3 Ціна
SIA811ADJ-T1-GE3 Пропозиція
SIA811ADJ-T1-GE3 Найнижча ціна
SIA811ADJ-T1-GE3 Пошук
SIA811ADJ-T1-GE3 Закупівля
SIA811ADJ-T1-GE3 Чіп