Купити Vishay Siliconix SIA850DJ-T1-GE3 MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

SIA850DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6

Номер деталі

SIA850DJ-T1-GE3

Виробник/бренд

Vishay Siliconix

Серія

LITTLE FOOT®

Статус частини

Obsolete

Упаковка

Cut Tape (CT)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

PowerPAK® SC-70-6 Dual

Пакет пристроїв постачальника

PowerPAK® SC-70-6 Dual

Розсіювана потужність (макс.)

1.9W (Ta), 7W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Schottky Diode (Isolated)

Напруга відведення до джерела (Vdss)

190V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

950mA (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

4.5nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

90pF @ 100V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Vgs (макс.)

±16V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 40548 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

SIA810DJ-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6