Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
SIB900EDK-T1-GE3

SIB900EDK-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
Номер деталі
SIB900EDK-T1-GE3
Виробник/бренд
Серія
TrenchFET®
Статус частини
Active
Упаковка
Digi-Reel®
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Потужність - Макс
3.1W
Пакет пристроїв постачальника
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Тип FET
2 N-Channel (Dual)
Функція FET
Logic Level Gate
Напруга відведення до джерела (Vdss)
20V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
225 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
1.7nC @ 4.5V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
-
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 48415 PCS
Контактна інформація
Ключові слова SIB900EDK-T1-GE3
SIB900EDK-T1-GE3 Електронні компоненти
SIB900EDK-T1-GE3 Продажі
SIB900EDK-T1-GE3 Постачальник
SIB900EDK-T1-GE3 Дистриб'ютор
SIB900EDK-T1-GE3 Таблиця даних
SIB900EDK-T1-GE3 Фотографії
SIB900EDK-T1-GE3 Ціна
SIB900EDK-T1-GE3 Пропозиція
SIB900EDK-T1-GE3 Найнижча ціна
SIB900EDK-T1-GE3 Пошук
SIB900EDK-T1-GE3 Закупівля
SIB900EDK-T1-GE3 Чіп