Купити Vishay Siliconix SIDR390DP-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK SO-8D

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

SIDR390DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK SO-8D

Номер деталі

SIDR390DP-T1-GE3

Виробник/бренд

Vishay Siliconix

Серія

TrenchFET® Gen IV

Статус частини

Active

Упаковка

Tape & Reel (TR)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

PowerPAK® SO-8

Пакет пристроїв постачальника

PowerPAK® SO-8DC

Розсіювана потужність (макс.)

6.25W (Ta), 125W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

30V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

69.9A (Ta), 100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.8 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

153nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

10180pF @ 15V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (макс.)

+20V, -16V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 12817 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC