Купити Vishay Siliconix SIDR610DP-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

SIDR610DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC

Номер деталі

SIDR610DP-T1-GE3

Виробник/бренд

Vishay Siliconix

Серія

TrenchFET®

Статус частини

Active

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

PowerPAK® SO-8

Пакет пристроїв постачальника

PowerPAK® SO-8DC

Розсіювана потужність (макс.)

6.25W (Ta), 125W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Напруга відведення до джерела (Vdss)

200V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

8.9A (Ta), 39.6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

31.9 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

38nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

1380pF @ 100V

Vgs (макс.)

±20V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 32635 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC