Купити Vishay Siliconix SIHB12N60ET5-GE3 MOSFET N-CH 600V 12A TO263

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

SIHB12N60ET5-GE3

MOSFET N-CH 600V 12A TO263

Номер деталі

SIHB12N60ET5-GE3

Виробник/бренд

Vishay Siliconix

Серія

Статус частини

Active

Упаковка

Tape & Reel (TR)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Пакет пристроїв постачальника

TO-263 (D²Pak)

Розсіювана потужність (макс.)

147W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

600V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

12A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

380 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

58nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

937pF @ 100V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (макс.)

±30V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 20855 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

SIHB065N60E-GE3

MOSFET E SERIES 600V D2PAK (TO-2