Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
SIHD240N60E-GE3

SIHD240N60E-GE3

MOSFET N-CHAN 600V DPAK TO-252
Номер деталі
SIHD240N60E-GE3
Виробник/бренд
Серія
E
Статус частини
Active
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Пакет пристроїв постачальника
D-PAK (TO-252AA)
Розсіювана потужність (макс.)
78W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Напруга відведення до джерела (Vdss)
600V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
240 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
23nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
783pF @ 100V
Vgs (макс.)
±30V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
10V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 17006 PCS
Контактна інформація
Ключові слова SIHD240N60E-GE3
SIHD240N60E-GE3 Електронні компоненти
SIHD240N60E-GE3 Продажі
SIHD240N60E-GE3 Постачальник
SIHD240N60E-GE3 Дистриб'ютор
SIHD240N60E-GE3 Таблиця даних
SIHD240N60E-GE3 Фотографії
SIHD240N60E-GE3 Ціна
SIHD240N60E-GE3 Пропозиція
SIHD240N60E-GE3 Найнижча ціна
SIHD240N60E-GE3 Пошук
SIHD240N60E-GE3 Закупівля
SIHD240N60E-GE3 Чіп