Купити Vishay Siliconix SIHG11N80E-GE3 MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

SIHG11N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC

Номер деталі

SIHG11N80E-GE3

Виробник/бренд

Vishay Siliconix

Серія

Статус частини

Active

Упаковка

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Through Hole

Пакет / футляр

TO-247-3

Пакет пристроїв постачальника

TO-247AC

Розсіювана потужність (макс.)

179W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

800V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

12A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

440 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

88nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

1670pF @ 100V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (макс.)

±30V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 20279 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

SIHG039N60E-GE3

MOSFET E SERIES 600V TO247AC