Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
SIHG23N60E-GE3

SIHG23N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC
Номер деталі
SIHG23N60E-GE3
Виробник/бренд
Серія
E
Статус частини
Active
Упаковка
Tube
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TA)
Тип монтажу
Through Hole
Пакет / футляр
TO-247-3
Пакет пристроїв постачальника
TO-247AC
Розсіювана потужність (макс.)
227W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
600V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
158 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
95nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
2418pF @ 100V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (макс.)
±30V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 44391 PCS
Контактна інформація
Ключові слова SIHG23N60E-GE3
SIHG23N60E-GE3 Електронні компоненти
SIHG23N60E-GE3 Продажі
SIHG23N60E-GE3 Постачальник
SIHG23N60E-GE3 Дистриб'ютор
SIHG23N60E-GE3 Таблиця даних
SIHG23N60E-GE3 Фотографії
SIHG23N60E-GE3 Ціна
SIHG23N60E-GE3 Пропозиція
SIHG23N60E-GE3 Найнижча ціна
SIHG23N60E-GE3 Пошук
SIHG23N60E-GE3 Закупівля
SIHG23N60E-GE3 Чіп