Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
SIHG25N50E-GE3

SIHG25N50E-GE3

MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AC
Номер деталі
SIHG25N50E-GE3
Виробник/бренд
Серія
-
Статус частини
Active
Упаковка
Tube
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Through Hole
Пакет / футляр
TO-247-3
Пакет пристроїв постачальника
TO-247AC
Розсіювана потужність (макс.)
250W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
500V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
145 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
86nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
1980pF @ 100V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (макс.)
±30V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 36265 PCS
Контактна інформація
Ключові слова SIHG25N50E-GE3
SIHG25N50E-GE3 Електронні компоненти
SIHG25N50E-GE3 Продажі
SIHG25N50E-GE3 Постачальник
SIHG25N50E-GE3 Дистриб'ютор
SIHG25N50E-GE3 Таблиця даних
SIHG25N50E-GE3 Фотографії
SIHG25N50E-GE3 Ціна
SIHG25N50E-GE3 Пропозиція
SIHG25N50E-GE3 Найнижча ціна
SIHG25N50E-GE3 Пошук
SIHG25N50E-GE3 Закупівля
SIHG25N50E-GE3 Чіп