Купити Vishay Siliconix SIR802DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

SIR802DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

Номер деталі

SIR802DP-T1-GE3

Виробник/бренд

Vishay Siliconix

Серія

TrenchFET®

Статус частини

Active

Упаковка

Tape & Reel (TR)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

PowerPAK® SO-8

Пакет пристроїв постачальника

PowerPAK® SO-8

Розсіювана потужність (макс.)

4.6W (Ta), 27.7W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

20V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

32nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

1785pF @ 10V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Vgs (макс.)

±12V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 54034 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

SIR800ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V PPAK SO-8