Купити Vishay Siliconix SIR838DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

SIR838DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8

Номер деталі

SIR838DP-T1-GE3

Виробник/бренд

Vishay Siliconix

Серія

TrenchFET®

Статус частини

Obsolete

Упаковка

Tape & Reel (TR)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

PowerPAK® SO-8

Пакет пристроїв постачальника

PowerPAK® SO-8

Розсіювана потужність (макс.)

5.4W (Ta), 96W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

150V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

35A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33 mOhm @ 8.3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

50nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

2075pF @ 75V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту chen_hx1688@hotmail.com, ми відповімо якомога швидше.

В наявності 41019 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

SIR800ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V PPAK SO-8