Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
SIR872DP-T1-GE3

SIR872DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
Номер деталі
SIR872DP-T1-GE3
Виробник/бренд
Серія
TrenchFET®
Статус частини
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
PowerPAK® SO-8
Пакет пристроїв постачальника
-
Розсіювана потужність (макс.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
150V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
53.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
64nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
2130pF @ 75V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (макс.)
±20V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 24375 PCS
Контактна інформація
Ключові слова SIR872DP-T1-GE3
SIR872DP-T1-GE3 Електронні компоненти
SIR872DP-T1-GE3 Продажі
SIR872DP-T1-GE3 Постачальник
SIR872DP-T1-GE3 Дистриб'ютор
SIR872DP-T1-GE3 Таблиця даних
SIR872DP-T1-GE3 Фотографії
SIR872DP-T1-GE3 Ціна
SIR872DP-T1-GE3 Пропозиція
SIR872DP-T1-GE3 Найнижча ціна
SIR872DP-T1-GE3 Пошук
SIR872DP-T1-GE3 Закупівля
SIR872DP-T1-GE3 Чіп