Купити Vishay Siliconix SIS888DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

SIS888DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S

Номер деталі

SIS888DN-T1-GE3

Виробник/бренд

Vishay Siliconix

Серія

ThunderFET®

Статус частини

Active

Упаковка

Cut Tape (CT)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TA)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

PowerPAK® 1212-8S

Пакет пристроїв постачальника

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

Розсіювана потужність (макс.)

52W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

150V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

20.2A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.2V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

14.5nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

420pF @ 75V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 50345 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

SIS822DNT-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212