Купити Vishay Siliconix SISC06DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

SISC06DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V

Номер деталі

SISC06DN-T1-GE3

Виробник/бренд

Vishay Siliconix

Серія

TrenchFET® Gen IV

Статус частини

Active

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

PowerPAK® 1212-8

Пакет пристроїв постачальника

PowerPAK® 1212-8

Розсіювана потужність (макс.)

3.7W (Ta), 46.3W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Schottky Diode (Isolated)

Напруга відведення до джерела (Vdss)

30V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

27.6A (Ta), 40A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.7 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

58nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

2455pF @ 15V

Vgs (макс.)

+20V, -16V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 31266 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

SISC050N10DX1SA1

MOSFET N-CHAN SAWED WAFER