Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
SISF00DN-T1-GE3

SISF00DN-T1-GE3

MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12
Номер деталі
SISF00DN-T1-GE3
Виробник/бренд
Серія
TrenchFET® Gen IV
Статус частини
Active
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
PowerPAK® 1212-8SCD
Потужність - Макс
69.4W (Tc)
Пакет пристроїв постачальника
PowerPAK® 1212-8SCD
Тип FET
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Функція FET
Standard
Напруга відведення до джерела (Vdss)
30V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
53nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
2700pF @ 15V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 45986 PCS
Контактна інформація
Ключові слова SISF00DN-T1-GE3
SISF00DN-T1-GE3 Електронні компоненти
SISF00DN-T1-GE3 Продажі
SISF00DN-T1-GE3 Постачальник
SISF00DN-T1-GE3 Дистриб'ютор
SISF00DN-T1-GE3 Таблиця даних
SISF00DN-T1-GE3 Фотографії
SISF00DN-T1-GE3 Ціна
SISF00DN-T1-GE3 Пропозиція
SISF00DN-T1-GE3 Найнижча ціна
SISF00DN-T1-GE3 Пошук
SISF00DN-T1-GE3 Закупівля
SISF00DN-T1-GE3 Чіп