Купити Vishay Siliconix SISH106DN-T1-GE3 MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

SISH106DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Номер деталі

SISH106DN-T1-GE3

Виробник/бренд

Vishay Siliconix

Серія

TrenchFET®

Статус частини

Active

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

PowerPAK® 1212-8SH

Пакет пристроїв постачальника

PowerPAK® 1212-8SH

Розсіювана потужність (макс.)

1.5W (Ta)

Тип FET

N-Channel

Напруга відведення до джерела (Vdss)

20V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

12.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

27nC @ 4.5V

Vgs (макс.)

±12V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 53684 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

SISH106DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH