Купити Vishay Siliconix SISS06DN-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 30 V POWERPAK 1212

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

SISS06DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 30 V POWERPAK 1212

Номер деталі

SISS06DN-T1-GE3

Виробник/бренд

Vishay Siliconix

Серія

TrenchFET® Gen IV

Статус частини

Active

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

PowerPAK® 1212-8S

Пакет пристроїв постачальника

PowerPAK® 1212-8S

Розсіювана потужність (макс.)

5W (Ta), 65.7W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Напруга відведення до джерела (Vdss)

30V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

77nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

3660pF @ 15V

Vgs (макс.)

+20V, -16V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 53920 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-