Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
SIZF916DT-T1-GE3

SIZF916DT-T1-GE3

MOSFET N-CH DUAL 30V
Номер деталі
SIZF916DT-T1-GE3
Виробник/бренд
Серія
TrenchFET® Gen IV
Статус частини
Active
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
8-PowerWDFN
Потужність - Макс
3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
Пакет пристроїв постачальника
8-PowerPair® (6x5)
Тип FET
2 N-Channel (Dual)
Функція FET
Standard
Напруга відведення до джерела (Vdss)
30V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
23A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4 mOhm @ 10A, 10V, 1.25 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
22nC @ 10V, 95nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 47024 PCS
Контактна інформація
Ключові слова SIZF916DT-T1-GE3
SIZF916DT-T1-GE3 Електронні компоненти
SIZF916DT-T1-GE3 Продажі
SIZF916DT-T1-GE3 Постачальник
SIZF916DT-T1-GE3 Дистриб'ютор
SIZF916DT-T1-GE3 Таблиця даних
SIZF916DT-T1-GE3 Фотографії
SIZF916DT-T1-GE3 Ціна
SIZF916DT-T1-GE3 Пропозиція
SIZF916DT-T1-GE3 Найнижча ціна
SIZF916DT-T1-GE3 Пошук
SIZF916DT-T1-GE3 Закупівля
SIZF916DT-T1-GE3 Чіп