Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
SQM10250E_GE3
MOSFET N-CHAN 250V TO-263
Номер деталі
SQM10250E_GE3
Виробник/бренд
Серія
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Статус частини
Active
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет пристроїв постачальника
TO-263 (D²Pak)
Розсіювана потужність (макс.)
375W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Напруга відведення до джерела (Vdss)
250V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
75nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
4050pF @ 25V
Vgs (макс.)
±20V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 21352 PCS
Контактна інформація
Супутні товари
Ключові слова SQM10250E_GE3
SQM10250E_GE3 Електронні компоненти
SQM10250E_GE3 Продажі
SQM10250E_GE3 Постачальник
SQM10250E_GE3 Дистриб'ютор
SQM10250E_GE3 Таблиця даних
SQM10250E_GE3 Фотографії
SQM10250E_GE3 Ціна
SQM10250E_GE3 Пропозиція
SQM10250E_GE3 Найнижча ціна
SQM10250E_GE3 Пошук
SQM10250E_GE3 Закупівля
SQM10250E_GE3 Чіп