Купити Vishay Siliconix SQM120N10-3M8_GE3 MOSFET N-CH 100V 120A TO263

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

SQM120N10-3M8_GE3

MOSFET N-CH 100V 120A TO263

Номер деталі

SQM120N10-3M8_GE3

Виробник/бренд

Vishay Siliconix

Серія

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Статус частини

Active

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Пакет пристроїв постачальника

TO-263 (D²Pak)

Розсіювана потужність (макс.)

375W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Напруга відведення до джерела (Vdss)

100V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

120A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

190nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

7230pF @ 25V

Vgs (макс.)

±20V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

10V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 18373 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

SQM100N02-3M5L_GE3

MOSFET N-CH 20V 100A TO263