Купити Vishay Siliconix SQS966ENW-T1_GE3 MOSFET N-CHAN 60V

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

SQS966ENW-T1_GE3

MOSFET N-CHAN 60V

Номер деталі

SQS966ENW-T1_GE3

Виробник/бренд

Vishay Siliconix

Серія

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Статус частини

Active

Упаковка

Tape & Reel (TR)

Робоча температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

PowerPAK® 1212-8W

Потужність - Макс

27.8W (Tc)

Пакет пристроїв постачальника

PowerPAK® 1212-8W

Тип FET

2 N-Channel (Dual)

Функція FET

Standard

Напруга відведення до джерела (Vdss)

60V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36 mOhm @ 1.25A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

8.8nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

572pF @ 25V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 26443 PCS

Контактна інформація